Wyszukiwanie kluczowych słów

  • Main
  • Wyszukiwanie kluczowych słów
1
Элементная база радиоэлектроники на основе наносред

Элементная база радиоэлектроники на основе наносред

Подвигалкин В. Я.
рис
пленок
основе
толстых
элементов
пленки
среды
наночастиц
систем
микросборок
толстопленочных
базы
элементной
мкм
радиоэлектроники
получения
покрытия
поверхности
элемента
микросхем
технологии
толстой
композиции
высших
рисунке
вакуумных
частот
энергии
матрице
приборов
системы
конструкции
поля
элементы
автоформования
материалов
точки
технологических
физических
покрытий
создания
типа
характеристики
метод
миниатюризации
резисторов
тест
устройств
поверхность
рэа
Rok:
2022
Język:
russian
Plik:
PDF, 5.14 MB
0 / 0
russian, 2022
2
Технологическое проектирование микросхем СВЧ

Технологическое проектирование микросхем СВЧ

Бушминский И. П.
свч
рис
пленок
пленки
подложки
элементов
мэи
мкм
осаждения
обработки
пасты
зависимость
ния
электросопротивления
процессе
процесса
корпуса
плат
материалов
поверхности
подложек
происходит
температуры
имеют
паст
про­
свойства
частиц
слоя
гис
характеристики
травления
изменение
структуры
изготовления
счет
т.е
скорости
платы
по­
сварки
параметров
резисторов
зависит
процесс
размеров
соединения
приведены
такж
пленочных
Język:
russian
Plik:
PDF, 14.42 MB
0 / 0
russian
4
Конструкции и технология микрошем

Конструкции и технология микрошем

Матсон Э.А.
имс
элементов
микросхемы
рис
микросхем
полупроводниковых
бис
корпуса
компонентов
транзистора
платы
помощью
кристалла
типа
основе
мдп
мсб
гис
мкм
табл
топологии
резисторов
транзисторов
интеграции
путем
схемы
схема
слоя
транзисторы
примесей
коэффициент
области
элементы
кремния
пленки
сопротивления
тока
резисторы
являются
навесных
напряжение
перехода
сопротивление
изготовления
пленок
материалов
заряда
параметры
составляет
конструкции
Rok:
1985
Język:
russian
Plik:
DJVU, 10.86 MB
0 / 0
russian, 1985
5
Проектирование и производство изделий интегральной электроники. Лабораторный практикум

Проектирование и производство изделий интегральной электроники. Лабораторный практикум

Достанко, А. П.
излучения
рис
пленок
пленки
резистора
лазерного
подложки
материала
подгонки
элементов
резисторов
отверстия
поверхности
энергии
конденсатора
конденсаторов
отверстий
импульса
диэлектрических
сопротивление
изготовления
помощью
схема
лазера
материалов
мкм
определяется
тонкопленочных
формирования
схем
установить
технология
гибридных
слоя
емкости
качестве
различных
сопротивления
толстопленочных
гис
диэлектрика
интегральных
кремния
паст
получения
проводников
свойства
табл
технологии
толщина
Język:
russian
Plik:
PDF, 3.18 MB
0 / 0
russian
6
Как рождаются микросхемы

Как рождаются микросхемы

Чернозубов Ю.С.
Rok:
1989
Język:
russian
Plik:
DJVU, 1.50 MB
0 / 0
russian, 1989
8
Технология больших гибридных интегральных схем : метод. указания и контр. задания для студентов специальности 1-41 01 02 «Микро-и наноэлектр. технологии и сиcтемы» заоч. и дистанц. форм обучения

Технология больших гибридных интегральных схем : метод. указания и контр. задания для студентов специальности 1-41 01 02 «Микро-и наноэлектр. технологии и сиcтемы» заоч. и дистанц. форм обучения

Шульгов, В. В.
пасты
бгис
характеристики
плат
изготовления
технологии
платы
технология
элементов
раздел
оснований
вжигания
гибридных
особенности
паст
mkm
процесса
процессов
технологические
указания
интегральных
методические
основные
рассмотреть
свойства
схем
гис
конструктивно
мкм
процессы
толстопленочных
основе
режимы
травление
больших
коммутационных
многокристальные
модули
печатных
пленочных
технические
травления
конструкции
материалы
металлических
методы
параметры
поверхностного
применение
профили
Język:
russian
Plik:
PDF, 461 KB
0 / 0
russian
10
Учетная политика организации: Рабочая тетрадь

Учетная политика организации: Рабочая тетрадь

Львова
пленок
пленки
сопротивления
aгентство
cервис
kнига
бибком
оао
ооо
цкб
толщины
тонких
измерения
сопротивление
шлифа
рис
удельного
проводимости
температуры
емкости
зависимости
мкм
электронов
величина
тока
ρs
измерение
конденсаторов
лабораторная
материала
пленочных
ρd
величины
коэффициент
методы
резисторов
слоев
структур
зависимость
конденсатора
метод
определить
параметров
получения
тонкопленочных
величину
используется
металлических
поверхности
подложки
Język:
russian
Plik:
PDF, 454 KB
0 / 0
russian
12
Изучение конструкции и топологии ГИС : лабораторная работа по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники".

Изучение конструкции и топологии ГИС : лабораторная работа по дисциплине "Технологические процессы микроэлектроники".

Колесов Л. А. Варакин А. А.
владимир
mailru.com
влгу
кафедра
рэс
имс
технология
владимирский
гис
государственный
конструирование
университет
dist
ktrs
ауд
всеволодович
горького
заведующий
кафе
кафедрой
медицинской
микросхемы
михаил
новинка
остановка
проезд
радиофизики
радиоэлектронных
руфицкий
средств
страница
техники
троллейбусы
факультет
электроники
подложки
микросхем
элементов
элементы
подложек
компонентов
рис
конденсаторов
микросхема
интегральной
конструкции
пленочные
требования
керамики
пленочных
Język:
russian
Plik:
PDF, 318 KB
0 / 0
russian
13
Технологическое оборудование. Рабочая программа дисциплины

Технологическое оборудование. Рабочая программа дисциплины

Громков Н.В.
оборудование
оборудования
дисциплины
полупроводниковых
интегральных
вакуумных
основные
производства
процессов
кафедры
микросхем
требования
эпитаксии
конструкции
линии
приборов
установки
диффузии
доцент
занятия
ионной
классификация
монокристаллов
монтажно
насосов
применения
программа
программы
средства
технологического
учебный
фотолитографии
вакуума
выращивания
дата
имплантации
окисления
основных
пластин
подготовки
подпись
рпд
систем
системы
технологическое
толстопленочных
электроника
вакуумная
газовой
громков
Rok:
2005
Język:
russian
Plik:
PDF, 196 KB
0 / 0
russian, 2005